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全新原裝N-MOS管 IPZ40N04S5L-4R8可提供質(zhì)檢報(bào)告和專票
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技術(shù) MOSFET (金屬氧化物) 漏源電壓(VDSS) 40V 25℃ 時(shí)電流-連續(xù)漏(ID) 40A(TC) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RDS ON,最小RDS ON) 4.5V,10V 不同 Id, VGS 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 4.8豪歐@20A,10V 不同 ID 時(shí) VGS(th)(最大值) 2V@ 17A 不同VGS 時(shí)柵極電荷 (QG)最大值 29 NC @ 10 V Vgs(最大值) 16V 不同Vgs 時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值) 1560 pf @ 25V
市場(chǎng)價(jià)格:¥19.5
本店價(jià)格:15
商品編號(hào):晶體管
商品庫存:1000
數(shù)量:
+ -
立即購買
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-PET,MOSFET-單個(gè)
制造商
infineon  technologies
系列
Automotive  AEC-Q101 OPtimos-5
包裝
卷帶(TR)
剪刀帶(CT)
FET 類型
N  通道
技術(shù)
MOSFET (金屬氧化物)
漏源電壓(VDSS)
40V
25℃ 時(shí)電流-連續(xù)漏(ID)
40A(TC)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RDS ON,最小RDS ON)
4.5V,10V
不同 Id, VGS 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
4.8豪歐@20A,10V
不同 ID 時(shí) VGS(th)(最大值)
2V@ 17A
不同VGS  時(shí)柵極電荷 (QG)最大值
29   NC @ 10 V
Vgs(最大值)
16V
不同Vgs 時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值)
1560 pf @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(TC)
工作溫度
-55℃~175℃(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TSDSON-8
封面/外殼
8-PowerVDFN


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