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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET IRFR5305TRPBF
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET IRFR5305TRPBF

技術(shù) MOSFET (金屬氧貨物) 漏源電壓(VDSS) 55 V 25℃時電流--連續(xù)漏極(ID)31A (Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds on, 最小Rds on,)10V 不同 Id ‘vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)65 豪歐@16A,10V 不同 Id時 ‘vgs (th)(最大值)4V@ 250 不同 Id ‘vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值)63 nc @10V vgs(最大值)+20V 不同 Id ‘vgs 時輸入電容(ciss)(最大值)1200pF @ 25V
市場價格:¥15.47
本店價格:11.9
商品編號:IRFR5305TRPBF
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類別  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-單個
制造商 lnfineon  Technologies
系列HEXFET
包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)DIgi-Reel
零件狀態(tài) 在售
FET  類型  P  通道
技術(shù)  MOSFET  (金屬氧貨物)
漏源電壓(VDSS) 55 V
25℃時電流--連續(xù)漏極(ID)31A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds on, 最小Rds on,)10V
不同 Id ‘vgs  時導(dǎo)通電阻(最大值)65 豪歐@16A,10V
不同 Id時 ‘vgs  (th)(最大值)4V@ 250
不同 Id ‘vgs  時柵極電荷(Qg)(最大值)63 nc @10V
vgs(最大值)+20V
不同 Id ‘vgs 時輸入電容(ciss)(最大值)1200pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)110W(TC)
工作溫度-55℃~175℃(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3,DPak (2引線+接片),SC-63
基本產(chǎn)品編號  IRFR5305


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